中国光学曾在一穷二白的基础上实现了艰难突围，其发展历程为芯片领域提供了宝贵经验与启示，具体如下：光学突围历程回顾：新中国成立初期，我国光学仪器制造领域几乎一片空白，西方对关键技术与设备天价售卖且诸多核心产品禁售。但科研人员自力更生，1953年建成玻璃熔制厂房并研制出第一炉光学玻璃，为行业奠基。1958年，成功研制出电子显微镜等“八大件”精密仪器及新光学玻璃品种。1961年，中国第一台红宝石激光器诞生，仅比世界首台晚10个月。此后，中国光学不断发展，如今直径两米的巡天空间望远镜也即将发射升空，展现出强大的科研实力。光学对芯片领域的启示： 技术自主创新是关键：光学领域科研人员凭借艰苦奋斗与创新精神，打破国外技术垄断，改变了行业面貌。如今芯片领域同样面临国外技术封锁，如EUV光刻机禁运等，华为、寒武纪等企业应学习光学领域经验，坚持自主研发，通过创新实现技术突破。例如，华为联合国内产业链自主研发EUV光刻机，采用哈工大的激光诱导放电等离子体（LDP）技术，绕开ASML专利壁垒，为芯片制造自主化开辟道路。 遵循“边际管制效应”规律：光学仪器制造领域发展表明，当中国有性能接近的产品，良率和产能提升后，美国相关管制会放松，以挤压中国竞品市场。如今芯片领域亦是如此，英伟达H20芯片对华出口获批准，就是因中国企业已推出性能接近的芯片。这提醒中国芯片企业，要加快技术研发，提升产品性能，促使美国放松管制，同时也不能依赖美国产品，仍需坚持自主发展。 核心材料研发至关重要：在光学领域，中国曾在非线性光学晶体领域取得关键突破，陈创天院士团队研发的KBBF晶体，成为芯片制造中深紫外光刻设备的核心材料，改变了中国在芯片制造领域的被动局面。这表明芯片领域也需重视核心材料研发，掌握关键材料技术，才能提升芯片制造水平，增强在全球产业链中的竞争力。 新兴赛道带来超车机遇：在传统电芯片领域，中国面临诸多限制，但在光电芯片赛道，由于光子不遵循摩尔定律，中国与全球巨头站在同一起跑线。长光华芯研发的100Gbps光通信芯片已切入谷歌数据中心供应链，清华大学团队研发的光子神经形态芯片在能效比上大幅超越英伟达芯片。这显示出芯片领域可关注新兴技术赛道，通过在新技术领域的研发，实现弯道超车。
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