存储芯片“超级周期”加速，三星、SK海力士涨价30%引爆市场
人工智能浪潮席卷全球，存储芯片市场正迎来一个前所未有的“超级周期”。
全球存储芯片市场正经历一场深刻变革。三星电子和SK海力士两大内存巨头已在第四季度将DRAM和NAND闪存价格上调高达30%。
这一大幅涨价举措直接源于AI引发的内存供应紧张，美国电子巨头和数据中心运营商正积极与韩国供应商洽谈长达2-3年的中长期供货合同，以应对可能持续三到四年的短缺局面。
01 市场动态：全面涨价与恐慌性采购
目前，全球DRAM市场正面临严重的供应紧张。根据TechInsights的统计数据，2025年第三季度DRAM平均库存已降至仅8周，远低于去年同期的10周和2023年初的31周水平。
这一库存数据明显低于半导体行业通常认为的10-12周健康库存水平，市场供应正快速吃紧。
存储产品的涨价潮来势汹汹。2025年9月DRAM现货价同比暴涨近一倍，涨幅远高于4月份时的4%年增幅。
更为独特的是，这一波涨势的全面性。威刚科技董事长陈立白指出，这是DRAM、NAND Flash、SSD、HDD四大存储产品首次同步短缺与涨价，在其三十余年从业经历中前所未有。
面对供应紧张和价格上涨，下游企业已进入恐慌性采购模式。半导体分销商Fusion Worldwide总裁Tobey Gonnerman表示：“过去一两个月记忆体需求激增，市场变化极快。许多客户采取双倍或三倍下单策略。”
02 周期驱动力：HBM产能挤压与AI需求爆发
本轮内存超级周期的核心驱动力来自于高带宽内存（HBM）需求的爆发式增长。美光首席商务官Sumit Sadhana指出，HBM消耗的晶圆产能是标准DRAM的三倍以上。
由于利润丰厚，内存制造商有充分的动力优先生产HBM。分析预计明年出货的12层HBM4产品的售价为每片500美元，较目前约300美元的12层HBM3e价格高出60%以上。
AI热潮推动的全方位需求增长也是此轮超级周期的重要推手。驱动因素包括：企业在AI服务器领域的巨额新投资、通用服务器为支持AI应用而进行的内存升级，以及智能手机、PC等设备上“端侧AI”功能的普及。
摩根士丹利预计，Alphabet、亚马逊、Meta、微软和CoreWeave等科技巨头今年将在AI基础设施上投入4000亿美元。
随着AI投资重心从大规模数据训练转向推理应用，市场对通用DRAM的需求也在同步攀升，因为通用DRAM在处理速度和功耗方面具备优势，这进一步加剧了整个DRAM市场的供不应求局面。
03 产业格局：利润转移与供应链变革
AI驱动的HBM扩张正在重塑存储产业的利润格局。三星电子第三季度的业务表现清晰显示了这一趋势：其标准DRAM业务营业利润率约为40%，而HBM业务则高达60%。
然而，随着一般存储产品供应紧张和价格持续上涨，利润格局可能正在改变。韩国KB证券研究主管Jeff Kim预测：“若当前趋势持续，明年非HBM产品的利润有机会超越HBM。”
存储芯片市场的采购模式也正发生结构性转变。传统上，企业为保持库存管理灵活性，普遍倾向于签订季度或年度的DRAM合同。
由于预测显示通用DRAM将持续短缺，企业正日益转向提前锁定额外供应。美国的电子巨头及数据中心运营商已经开始探索与韩国两大内存制造商签订2-3年的中长期协议，以确保其未来几年的供应链稳定。
存储价格上涨已开始向消费端传导。英国电脑品牌Raspberry Pi近日宣布涨价，理由是记忆体成本较去年上涨了120%。这一现象表明，存储成本上涨的压力正逐渐转嫁给终端消费者。
04 未来展望：持续短缺与行业变革
市场普遍预计，这场由AI驱动的供应短缺将比以往任何一次繁荣周期都更长、更强。分析师观点指出，短缺状况可能持续三到四年。
这一预测的背后，是价值数百万亿韩元的新增AI服务器投资、通用服务器的持续内存升级，以及端侧AI设备需求崛起等多重因素的叠加。
威刚董事长陈立白判断，第四季度仅仅是存储严重缺货的起点，明年存储产业将继续处于供货吃紧状态。
不过，也有保守声音如华邦电董事长焦佑钧指出，当前DRAM供需不平衡，有可能实际需求并无这么多，不过如今仍处在供不应求的状况，致使缺口产生，供给不足下导致价格狂飙。
面对持续的需求增长，全球内存供应商正加紧布局。三星正在加紧推进HBM4的研发，计划于10月27日至31日进行发布。与此同时，国内外存储厂商纷纷将优先布局HBM相关的先进封测领域作为其经营策略。
存储芯片市场的这场“完美风暴”仍在持续增强。随着HBM4等新一代技术的到来，内存产业的利润格局可能重新洗牌。韩国KB证券预测，若当前涨势持续，明年非HBM内存芯片的盈利能力甚至可能超越HBM。
未来几年，全球科技产业将不得不适应一个存储芯片供应持续紧张、价格居高不下的新常态，这场由AI驱动的超级周期正在重塑整个电子行业的地形。
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